电子化学品技术开发内容确定    近期我国电子化学品主要技术开发内容及指标如下：
    近期我国电子化学品主要技术开发内容及指标如下：    一、超净高纯试剂
    一、超净高纯试剂    连续高效精馏工艺的扩试研究，选择最佳工艺控制参数。研究气体吸收新工艺，
    连续高效精馏工艺的扩试研究，选择最佳工艺控制参数。研究气体吸收新工艺，确定气体吸收提纯工艺和最佳气体吸收条件。根据试剂品种选择不同材质、不同微孔过滤器和相应的过滤方式。研究设备、容器材质和包装工艺对产品质量的影响。    产品质量应符合ＳＥＭＩ－Ｃ７标准，产品质量达到国际上９０年初的水平。
    产品质量应符合ＳＥＭＩ－Ｃ７标准，产品质量达到国际上９０年初的水平。    颗粒：≥０．５μｍ颗粒≤２５个／ｍＬ
    颗粒：≥０．５μｍ颗粒≤２５个／ｍＬ    金属杂质：＜１０ｐｐｂ
    金属杂质：＜１０ｐｐｂ    二、紫外光刻胶
    二、紫外光刻胶    １.研究适合１μｍ工艺技术用ｇ线紫外正型光刻胶生产化关键技术， 解决高
    １.研究适合１μｍ工艺技术用ｇ线紫外正型光刻胶生产化关键技术， 解决高邻位树脂、高酯化度感光剂和添加剂的合成工艺稳定性及批次质量一致性。    ２.研究适合０． ５μｍ工艺技术ｉ线紫外正型光刻胶及光刻胶品种系列化、
    ２.研究适合０． ５μｍ工艺技术ｉ线紫外正型光刻胶及光刻胶品种系列化、配套化。合成正胶防光晕剂染料，研制高反射基片上使用的紫外正型光刻胶。合成耐热树脂，研制高耐热性能胶，研制高纯度新型正胶显影液。    ３.研究光刻胶工业超净处理技术。
    ３.研究光刻胶工业超净处理技术。    三、特种气体
    三、特种气体    １.在“八五”成果的基础上，提高ＳｉＨ４、ＳｉＨ２、ＰＨ３、Ｂ２Ｈ６、
    １.在“八五”成果的基础上，提高ＳｉＨ４、ＳｉＨ２、ＰＨ３、Ｂ２Ｈ６、ＢＣ１３、Ｃ１２和四乙氧基硅烷（ＴＥＯＳ）的纯度，使其达到ＵＬＳＩ级水平。    ２.开展气瓶、管路内表面抛光、涂层和处理技术研究， 以满足盛装兆位电子
    ２.开展气瓶、管路内表面抛光、涂层和处理技术研究， 以满足盛装兆位电子特种气体的需求。    ３.进一步提高高压终端纯化器装置性能，将气体纯度由６Ｎ提高到７Ｎ。
    ３.进一步提高高压终端纯化器装置性能，将气体纯度由６Ｎ提高到７Ｎ。