化学法制备高端碳化硅粉体
　　由中科院理化技术研究所研发的化学法制备碳化硅（SiC）粉体新工艺可以批量生产出高质量的SiC粉体，满
足高纯度、高密度、高均匀性等SiC粉体高端市场需求。
    SiC作为一种新材料，因其具有优异的耐磨性、耐热性、耐腐蚀和抗氧化性等特点，广泛应用于军工、电子、
冶金、航空航天、汽车等领域。而高质量的β-SiC超细粉体更是制造高级陶瓷材料和电子电工材料的重要原料，
也是价格昂贵的超精密研磨材料。
    用传统的固相法生产SiC，存在反应时间长、产品纯度低、生产能耗高等缺点。而溶胶-凝胶法也存在化学过
程复杂，不利于环保以及粉体易发生团聚等问题。化学法SiC粉体新工艺选择廉价的原料作为硅源和碳源，用软化
学方法合成碳硅前驱体，形成微反应体系，通过煅烧合成高品质的SiC超细粉体。新工艺使合成时间大为缩短，烧
结温度也大大降低，产品无需酸洗、精加工粉碎，即可直接得到高质量的超细粉体。（古悦）