氮化物基半导体晶体生产新工艺
　　近日，日本昭和电工集团（SDK）宣称研究出一种制造氮化镓（GaN）基及其他氮化物基优质复合半导体的新工
艺，可以生产出用传统的金属有机化学气相沉积加工（MOCVD）工艺不可能生产的优质4英寸（1英寸=2.54cm)外
延晶片，主要用于蓝色/白色发光二极管（LED）。 这种新工艺称为“混合PPDTM工艺”，结合了常规的MOCVD工艺
和昭和电工专有的等离子辅助物理沉积（PPD）工艺。SDK已决定在日本千叶（Chiba）分公司建设一条新生产线，
利用这种新工艺生产4英寸外延晶片。建成后，SDK集团的蓝色发光二极管的产能将大大增加，由目前的3000万
只/月增加到1亿只/月。（颜）