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高质量无机纳米晶制备及性能研究获新成果
2010年6期 发行日期:2010-02-23
作者:陈芩
高质量无机纳米晶制备及性能研究获新成果
    近日,中科院长春应用化学研究所在“高质量无机纳米晶制备及性能研究”取得新进展,荣获2009年度吉林省
科技进步一等奖。
    无机纳米晶具有光、电、磁等功能而在发光显示、太阳能电池、生物标记、磁记录等许多领域展示了巨大的应
用前景。高质量无机纳米晶具有高结晶性、缺陷少、粒径分布窄的特点,其制备对基础研究和应用领域都是非常重
要的。
    该所针对无机纳米晶制备方法存在的问题,发展了反应条件温和、实验重复性好的两相法、两相热法合成多种
类型的高质量纳米晶,包括II-VI族半导体和金属氧化物等,并深入研究了成核和生长动力学的规律。同时利用方
法简便、可大量制备的金属有机改进法和模板法制备II-VI族半导体纳米晶,获得了具有自主知识产权的纳米材料
制备技术。
    长春应化所在深入研究纳米晶成核和生长动力学的基础上,创新性地将两相法(包括常压和高压)首先成功用
于II-VI族半导体纳米晶制备,之后拓展到金属氧化物体系。创新点在于解决了成核和生长动力学过程的调控问题,
使制备尺寸和形貌可控的高质量纳米晶成为现实。绝大多数样品为单分散样品,这些高质量的纳米晶为其性能研究
奠定了基础。
    该成果获中国发明专利授权12项,美国发明专利授权2项。(陈芩)
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