巴斯夫与IBM共同研制出集成电路芯片用电镀铜材料
　　巴斯夫与IBM近日研发出一种先进电镀铜材料，已经应用于 32 纳米和22 纳米的芯片技术中，该材料能明显
改善芯片铜导线的可靠性，提升芯片的性能和质量。两家公司正在扩展他们的合作计划，以确定工业生产所需的参
数。相关的技术、化学品和材料预计可于 2010 年年中推向市场。
　　巴斯夫与IBM 于2007 年6月就已开始此项联合开发项目，这次研发的电镀铜材料，其性能超越了市场上现有
的其它材料。实现无缺陷的电导线沉积是该电镀铜材料成功制备的关键工艺。传统电镀工艺制备的铜容易形成接缝
及缺陷。巴斯夫公司通过新研发的快速充填工艺，可以将铜快速的充填至细小的通孔及沟槽，制造出无缺陷的铜材
料。
　　巴斯夫全球电子材料研发部资深经理Dieter Mayer 表示，巴斯夫与IBM 团队通过对沉积铜物理特性的深入研
究，成功的设计出了分子添加剂系统。利用巴斯夫与IBM 强大的资源，两家公司已经克服了在电镀铜方面的一大挑
战，这也意味着制造更小、更快、更可靠芯片的目标不再遥远。（佳）