专利选登    发明名称  导体衬底晶体材料生长真空系统及其控制系统
    发明名称  导体衬底晶体材料生长真空系统及其控制系统    公开日  20011128
    公开日  20011128    公开号  CN 1323923A
    公开号  CN 1323923A    申请人  李明远
    申请人  李明远    本发明涉及1种适用于半导体衬底晶体材料生长的真空及其控制
    本发明涉及1种适用于半导体衬底晶体材料生长的真空及其控制系统。真空系统主要包括直联旋片真空泵、钛离子泵和离子轰击装置，真空室内极限真空度可达3×10-8Pa；计算机温度控制系统包括温度控制器、前向通道温度控制执行机构和反馈通道远程信号采集传输机构，温度分辨率可达到±0.046℃。本发明为半导体衬底晶体材料生长提供1个优质洁净的超高真空环境，并对多台高温晶体生长炉同时进行高精度的计算机温度控制。

    发明名称  生长晶体方法和设备
    发明名称  生长晶体方法和设备    公开日  20011128
    公开日  20011128    公开号  CN 1323922A
    公开号  CN 1323922A    申请人  索耶研究产品公司
    申请人  索耶研究产品公司    本发明是1种在含有浸入矿化溶液的原晶的压力容器中，进行水
    本发明是1种在含有浸入矿化溶液的原晶的压力容器中，进行水热生长晶体的方法和装置。将所述装置放入压力容器，悬于矿化溶液的上方。所述装置包括具有伸出通道的两个相对的主壁的外罩。外罩完全环绕具有两个相背的主面的籽晶片。一个夹持结构将籽晶片固定在外罩内，使得籽晶片的主面自主壁向内隔开一定距离。

    发明名称  固体电解质纳米晶薄膜制备方法
    发明名称  固体电解质纳米晶薄膜制备方法    公开日  20011128
    公开日  20011128    公开号  CN 1323920A
    公开号  CN 1323920A    申请人  北京方正稀土科技研究所有限公司
    申请人  北京方正稀土科技研究所有限公司    本发明涉及1种稀土掺杂二氧化锆固体电解质纳米晶薄膜的制备
    本发明涉及1种稀土掺杂二氧化锆固体电解质纳米晶薄膜的制备方法。该方法的特征在于：以稀土和锆无机盐为原料，聚乙二醇为成膜剂，乙醇/水混合溶剂为分散剂，制成涂渍液，在单晶硅或石英基片上通过多次涂覆，制得所需厚度的薄膜，将该薄膜退火后，可得稀土掺杂二氧化锆固体电解质纳米晶薄膜。该方法具有操作简单、成本低、适用性强等特点。所制备的薄膜具有表面平整、无裂缝、无针孔、颗粒均匀致密、相态纯净和电导性能优异的特点。

    发明名称  镍基多元合金酸性化学镀液
    发明名称  镍基多元合金酸性化学镀液    公开日  20011128
    公开日  20011128    公开号  CN 1323919A
    公开号  CN 1323919A    申请人  上海交通大学
    申请人  上海交通大学    本发明涉及1种耐海水腐蚀镍基多元合金的酸性化学镀液配方：
    本发明涉及1种耐海水腐蚀镍基多元合金的酸性化学镀液配方：硫酸镍8～12g/L，亚磷酸钠38～45g/L，柠檬酸三钠15～20g/L，乳酸10～12ml/L，乙酸钠15～20g/L，硫酸铜0.5～1g/L，氯化铬8～15g/L，钼酸钠0.4～0.8g/L，聚乙二醇0.15～0.30g/L，稳定剂0.5～1mg/L，余量为蒸馏水，其中稳定剂为碘化钾或和硫脲。

    发明名称  高致密度和高耐蚀性化学镍磷镀膜工艺
    发明名称  高致密度和高耐蚀性化学镍磷镀膜工艺    公开日  20011128
    公开日  20011128    公开号  CN 1323918A
    公开号  CN 1323918A    申请人  上海交通大学
    申请人  上海交通大学    本发明涉及1种高致密度和高耐蚀性的化学镍磷镀膜工艺:①配
    本发明涉及1种高致密度和高耐蚀性的化学镍磷镀膜工艺:①配制含有润湿剂及络合剂的去氧蒸馏水溶液，去氧蒸馏水溶液中使用的润湿剂、络合剂为聚乙二醇和/或柠檬酸三钠；②将溶液升温至40～70℃；③指定化学镀膜配方及工艺条件下对工件施镀，施镀时间的长短依据镀速来定；④施镀一段时间后，取出工件放入去氧蒸镏水溶液中，对其表面去除氢气；⑤重复工件施镀和除氢过程。

    发明名称  利用普通高磷生铁冶炼优质球墨铸铁工艺
    发明名称  利用普通高磷生铁冶炼优质球墨铸铁工艺    公开日  20011128
    公开日  20011128    公开号  CN 1323912A
    公开号  CN 1323912A    申请人  胡德智
    申请人  胡德智    本发明是1种利用普通高磷生铁冶炼高强度优质球墨铸铁的工
    本发明是1种利用普通高磷生铁冶炼高强度优质球墨铸铁的工艺。其特征在于将铁水从铁水包浇注入铸模时，在铁水表面撒入硅铁粉。采用本发明的工艺能利用含磷较高的普通生铁，冶炼出高强度和高韧性球墨铸铁。本发明降低了生产成本，扩大了高磷生铁的使用。

    发明名称  石墨-铝基复合材料及其制备方法
    发明名称  石墨-铝基复合材料及其制备方法    公开日  20011128
    公开日  20011128    公开号  CN 1323911A
    公开号  CN 1323911A    申请人  中南工业大学
    申请人  中南工业大学    本发明涉及1种铝基合金，特别是变质铝硅合金，其特征在于：
    本发明涉及1种铝基合金，特别是变质铝硅合金，其特征在于：将颗粒小于100μm的石墨粉置于处理炉中，于400℃以下预热4h；热处理后的压块加入设置有搅拌设备的熔炼炉中与铝基合金熔体相熔融，控制在720～850℃，搅拌速度250～300r/min，其产品强度高、比刚度大、质轻耐磨、热膨胀系数小、耗油低和噪音少等性能，同时生产工艺流程短，原材料消耗低，生产效率高。