国外开发降低硅基太阳能电池成本技术
    目前大多数太阳能电池是将大块晶体切成硅晶片制备而得。这些硅晶片典型的厚度为0.2～0.25mm，而绝大多
数光-电转换却发生在晶片的最外层0.02mm处。为了减少太阳能电池所需的硅数量，BP太阳能公司与德国Crystal
Growth研究院（IKZ）进行了为期3年的课题研究，目的是开发一种新工艺将硅沉积在低成本的载体如玻璃上。
    截至目前，硅薄薄地沉积在玻璃上因晶粒高密度的限制，而使转换效率很差。IKZ期望通过两步法工艺来解决
这一问题。第一步在玻璃表面用硅结晶有规则地分布使之成核；然后再用金属溶液通过晶化使晶种长大，形成连续
的多结晶层，其厚度小于0.05mm。
    另外，美国加州Ferro电子材料系统公司于2006年9月推出一种新的材料，可使太阳能电池制造商大大减少
硅的用量。据称，镀铝和镀银的无镉和无铅体系可提高硅晶片的电性能，其厚度小于180μm，而现在的“薄”型
晶片厚度为240μm。（今秋 编译）