道康宁公司（Dow Corning）近日宣布，向市场推出突破性的Prime Grade产品组合，开始供应直径为150mm的碳化硅（SiC）晶片，进而再次将碳化硅晶片品质的行业标准提升至新的高度。
　　此前该公司推出的Prime Grade产品组合已为100mm的碳化硅晶片品质设定了全新标准。现在，Prime Grade产品组合可向市场供应Prime Standard、Prime Select及Prime Ultra三个等级、具有工业品质的150mm碳化硅衬底。而每一等级对诸如微管密度（MPD）、螺纹位错（TSD）及基面位错（BPD）等影响器件性能的致命性缺陷的容忍度也逐级递增。
　　“碳化硅宽禁带电力半导体已从前沿的边缘技术迅速演变为成熟的技术，市场也愈发关注由碳化硅晶片质量、晶片尺寸及其他关键因素引发的制造成本问题，”道康宁化合物半导体解决方案副总裁Tang Yong Ang表示，“随着我们将高品质晶片的生产规模快速扩大，我们的客户可以更有把握地定位碳化硅衬底，从而优化产品性能、降低新一代器件设计成本，同时借助更宽的晶片直径实现规模效应。”
尽管已有不少碳化硅晶片制造商承诺要降低150毫米衬底的微管密度，但道康宁是最先对诸如TSD及BPD等缺陷类型的低公差做出明确定义的企业之一。这些缺陷会降低器件的成品率，影响大面积和具有更高额定电流的新一代电力电子器件进行具高成本效益的生产与制造。
　　“道康宁与客户在有机硅和宽禁带半导体技术领域的紧密合作，帮助我们更好地了解了这些市场的竞争性需求和存在的机遇，”道康宁首席技术官Gregg Zank表示。“凭借我们独特的技术、领先的市场地位、高品质碳化硅日益增长的声誉、不断扩展的外延服务和极具竞争力的定价体系，道康宁正帮助世界各地客户在快速发展的电力电子行业参与竞争并不断取得成功。”（Manca）