新技术提升单晶石墨烯薄膜生产速度
  　　中国科学家通过对化学气相沉积法（CVD）的调整和改进，将石墨烯薄膜生产的速度提高了150倍。新研究为石墨烯的大规模应用奠定了基础。
  　　虽然石墨烯的需求巨大，但其制备速度缓慢，利用率一直徘徊在25%左右，成为制约其进入实际应用的瓶颈之一。目前制备高质量石墨烯的方法，除胶带剥离法、碳化硅或金属表面外延生长法外，主要是化学气相沉积法。但通过CVD技术生产单晶石墨烯薄膜仍然需要耗费很长的时间，制备一块厘米见方的单晶石墨烯薄膜至少需要一天的时间，十分缓慢。
  　　在新的研究中，北京大学和香港理工大学的研究人员开发出一种新技术，能将这一过程从每秒0.4微米加速到每秒60微米，速度提升150倍。而其中的诀窍，就是在参与反应的铜箔上直接加入了少许氧气。研究人员表示，氧气的连续供应提高了石墨烯的生长速率。他们通过电子能谱分析证实了这一点，但测量表明，氧气虽然被释放，然而总量很小。研究人员解释说，这可能与氧化物基板与铜箔之间非常狭小的空间产生了俘获效应，从而提高了氧气的利用效率有关。在实验中，研究人员能在短短5秒的时间内生产出0.3毫米的单晶石墨烯。