新材料可大幅提高电子存储速度
      中科院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队在最新一期美国《科学》杂志上发表报告称，已开发出一种新型相变材料，有望将电子产品的存储速度提高约70倍左右。其利用含钪、锑、碲的合金材料制造出相变存储器单元(PCRAM)，这一新材料的写入速度可达700皮秒(一皮秒相当于一万亿分之一秒)。
　　由于改变的是材料的物理状态，断电后信息不会消失，作为新型相变材料，钪与碲的化学键稳定，在非晶体到多晶体转化过程中，形成稳定的“八面体”基元，并迅速“成核”生长为多晶体，使存储功耗降低，存储速度提升。
　　宋志棠表示：“团队下一步准备将这种材料用于自主开发的64兆、128兆存储芯片上。”