imec将为三井化学新一代产品的商业化提供咨询和EUV光刻机评估。新一代CNT胶粒旨在保护光掩膜免受EUV光刻过程中的污染，并具有优异的光学性能，如高EUV透射率（>94%）和极低的EUV反射率，这对于先进半导体制造中的高产量和高产能至关重要。

此外，新一代CNT粒子可承受超过1kW的EUV曝光功率，使其适用于ASML光刻机创新路线图中的下一代EUV光刻机（>600 W）。在大批量生产过程中使用EUV光刻设备的公司对这类新产品的特性非常感兴趣，目前，三井与imec公司正通过此次合作，希望加速用于下一代EUV光刻技术的CNT粒子商业化。

加速布局薄膜业务
随着半导体小型化，EUV光刻机变得越来越复杂，三井化学希望将新一代薄膜商业化，以抓住半导体相关业务增长的需求。

此前，三井化学从旭化成手中收购半导体和LCD制造工艺中光掩模用保护膜业务，除了用于前端半导体工艺的EUV薄膜外，还将生产使用深紫外（DUV）光源的光刻工艺中使用的DUV薄膜，并且灵活利用旭化成在这项业务方面的知识。目标是通过在后端工艺中生产用于3D安装的薄膜来满足需求，这将在其薄膜业务中创造协同效应。

当今最先进的半导体光刻工艺使用EUV光源，特别是13.5nm的光。EUV光允许在半导体中构建更小的单位特征。据报道，EUVL系统目前耗资1.5亿美元，由ASML于2019年首次部署，该公司一直保持着100%的市场份额。

据报道，EUVL系统目前耗资1.5亿美元，由ASML于2019年首次部署，该公司一直保持着100%的市场份额。
来源：化工新材料