罗门哈斯电子材料公司韩国天安研发中心成功扩建
　  罗门哈斯电子材料公司新建的韩国天安研发中心正式启用。罗门哈斯近期计划斥资3000万美金扩建其位于天安
市的微电子技术基地，而这个研发中心就是扩建计划中的一部分。该中心启用后将大大增强罗门哈斯电子材料公司
在193纳米光刻胶及有机和硅基抗反射涂层领域的全球研发实力。天安研发中心为研发及工程技术人员配备了先进
的193纳米和248纳米光刻集群系统及行业领先的检测及度量工具。
　  “很高兴看到扩建计划迅速付诸实施”，罗门哈斯电子材料公司（韩国）微电子技术事业部总裁Hoe-Sik Chung
博士表示。“新的研发中心启用后，将大大加快我们的研发进程。雄厚的研发实力以及我们已具备的先进制造能力，
会不断增强我们的研发基础设施，使之能更好地满足当地半导体行业的发展需求。”
    根据投资计划，罗门哈斯在2007年将进一步加大对天安基地的研发及工程技术资源的投入，以逐步满足当地及
全球市场对下一代半导体材料的需求。（安）